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国内科技专家:我国高端芯片研制已具备基础

来源:www.timetimetime.net 时间:2020-05-10 编辑:互联网

作者:冯华资料来源:人民网发布日期:2018/4/21 20:52:34

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国内科技专家:中国高端芯片开发已经有了基础

朱宁华,中国科学院半导体研究所副所长,第十三个五年国家重点研发计划“光电子与微电子器件与集成”重点专项专家组组长。近年来,中国不断支持光电子领域的科技创新。从“863”、“973”项目到国家自然科学基金等项目,投入了大量资金,引导高校、科研院所和企业对光电芯片和模块关键技术进行广泛深入的研究,取得了丰硕的创新成果。 目前,中国已经掌握了中低端光电器件的关键技术,具有生产能力,但生产能力不足 在高端光电器件的研发中,一些关键技术取得突破性进展。开发的样机已经通过系统功能验证,部分关键技术达到国际先进水平。 朱宁华表示,仅从“863”计划“十二五”开始,国家就在宽带通信、高性能计算机、骨干网、光交换、接入网、无线通信和微波光波集成等领域对光电器件进行了重点安排。

“这些R&D项目中有许多是前瞻性的,中兴通讯的所有受限芯片都相应地部署在第12和第13个五年国家研究计划中。 朱宁华说,半导体激光器被称为信息网络的心脏。可以看出,以激光器为代表的光电器件在通信系统设备中起着重要的作用。 在光传输和交换设备中,光器件占成本的60%-70%。因此,近年来中国一直非常重视光电器件的研究和发展。

朱宁华分析说,中国已经具备了发展高端光电芯片的基本条件,无论是在技术积累和资金投入方面,还是在高端核心人才的培养和储备方面。 “只要国家选择未来信息网络急需的1-2型核心关键光电芯片,集中资源,从设计、研发、器件制备到封装和测试进行全面布局。同时,通过国家引导、地方和企业参与,相信高端芯片开发的短板可以在5年内得到缓解。 "

据了解,为了实现自主创新和发展,中国在2008年实施了国家重大科技项目“超大规模集成电路制造设备及成套技术”。经过九年的攻关,中国成功构建了集成电路制造业创新体系。 在该项目的实施之前,中国集成电路制造业最先进的大规模生产工艺是130纳米,研发工艺是90纳米。 在过去的九年里,中国的主流技术水平已经提高了五代。三代55纳米、40纳米和28纳米成套技术已经成功开发并大规模生产。22纳米和14纳米先导技术的研发取得突破。成功开发了14纳米蚀刻机、薄膜沉积等30多种高端设备,靶材、抛光液等数百种材料的性能达到国际先进水平。 包装企业也从低端进入高端,三维高密度集成技术达到国际先进水平。 这一系列从头开始的突破填补了产业链空空白,使中国集成电路制造技术体系和产业生态得以建立和完善。

李洪斌,北京大学教授,第十三个五年国家重点研究与发展计划库安坦通信与新网络重点特别专家组成员,表示中国通信产业近年来的成就是显而易见的。 “从农业交换机和边缘设备开始,到目前通信设备产品的全覆盖,从2G和3G到4G和5G,中国的通信产业发展迅速,在通信系统技术方面已经位居世界前列。 "

李洪斌说,任何事物的发展都需要一个过程,中国通信行业也正经历着从低端到高端的发展过程。 “事实上,近年来许多企业都投入了大量的R&D努力来做高端R&D。一些企业在关键芯片上连续做了120到120年,也取得了创新成果 这是市场驱动的结果,已经成为许多企业家的共识。为了实现高质量发展和获取更多利润,企业必须在高端研发上投入更多的精力。 企业投资高端芯片研发的热情可以用他们的渴望和时代潮流来描述。 “李洪斌说,中国近年来加强了在信息和通信领域的传播,组织和实施了各种项目,如重大项目。一些企业自身无法实现的平台和设备已经取得初步成效,并将在未来发挥更大的作用。 “只要我们坚持现有的开放、竞争与合作、共同发展的道路,集中政府、研发机构和企业的力量,我相信用不了多久我们就一定会在产业链高端的核心芯片上取得同样显着的成就。 (结束)

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